2019年全球半导体市况表现不佳，增速大幅下滑，成为当前业界最为关注的话题之一。而本轮下行周期的成因很大程度上又与存储器市场有关。对此，美光科技高级副总裁兼移动产品事业部总经理拉杰·塔鲁里接受了《中国电子报》的采访，探讨存储器市场与技术发展趋势。拉杰·塔鲁里认为，虽然短期之内存储器仍然处于弱市行情，但长期来看，人们对存储需求将会持续增加，特别是2020年5G通信市场的爆发将带动智能手机摆脱颓势，进而拉升移动存储需求。

5G和AI驱动存储消费求增长

存储器价格下跌似乎成了今年半导体市场的主旋律。根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）在此之前发布的数据，第二季度各类存储器价格处于下跌走势，除了移动式存储器跌幅相对较缓，落在10%～20%的区间以外，标准型、服务器、消费性存储器的跌幅都近三成。展望第三季度，因为终端需求仍然较弱，报价仍然持续看跌。持续的下行走势使业界非常关注存储器市场，其中又以移动存储器为最，作为存储器几大系列中表现最好的应用之一，其后市如何发展？何时有望走出下行周期？

对此，拉杰·塔鲁里在接受记者采访时也承认，经过多年发展，全球智能手机市场总量增长趋于缓和。2017年至2018年的全球智能手机的出货量出现小幅下跌，这拖累了全球移动存储器的整体表现。但是，拉杰·塔鲁里对于移动存储器的长期走势仍然乐观。

“虽然智能手机的总量趋于饱和，但是每部手机加装的DRAM和NAND容量却是在不断增加。根据我们的测算，将来几年，无论DRAM还是NAND，在手机中的容量都将进一步增长。其中，DRAM平均增长率将达到15%~17%，NAND将达到25%~30%。”拉杰·塔鲁里预测。

拉杰·塔鲁里认为，5G和AI在智能手机各种各样场景中的广泛渗透和应用，是驱动消费者不断寻求具有更大存储容量智能手机的主要因素。“因为5G和AI的发展，人们对智能手机的使用方式正在改变。比如，基于高速的5G传输AI技术，手机的摄像头可以进行人脸识别，可以拍出更好的照片，这就需要高清晰的传感器、摄像头、高性能处理器、高带宽的传输芯片，以及高容量的存储器等。此外，我们预计2020年因为5G商用的铺开，AI应用的深入，智能手机销量将会回升。这对改变移动存储市场走势具有巨大助力。” 拉杰·塔鲁里说。

此外，拉杰·塔鲁里还看好一些新兴应用的发展前景。“除了智能手机之外，最大的应用就是自动驾驶。5G的发展将推动智慧城市等新兴市场的发展，也会带动存储器的增长。至于VR/AR要想达到优良的用户体验，必须支持高清分辨，否则使用者会感觉头晕，而要达到这样的体验，也需要更大的存储器用量。”拉杰·塔鲁里说。

美光科技将与中国伙伴紧密合作

中国是全球最大的集成电路市场，多年来一直超过全球份额的50%。因此，美光科技对于中国市场也非常重视。“我觉得中国的消费者对于汽车、手机等内存方面的需要是十分巨大的，因为他们有把线上的内容下载下来再观看的观影习惯，高清晰的手机摄像头也需要大量的DRAM，以应对高分辨率的要求。” 拉杰·塔鲁里表示。

在谈到中国市场的特点时，拉杰·塔鲁里表示：“在移动内存的需求上，中国消费者与世界其他地区的消费者并没有太大区别。但是，中国消费者对5G、AI、VR/AR这些新技术、新应用的适应速度和接受速度更快。全球最先进的一些智能手机，会率先在中国上市，这使中国成为移动存储发展最快的市场之一。”

基于此，美光科技十分重视与中国企业的合作。“我们在中国的市场策略就是跟整个中国的生态系统中的各种客户都紧密合作，很多全球领先的智能手机企业，多为中国企业。在云服务方面，阿里巴巴、百度等企业都是我们的合作伙伴。在自动驾驶方面，我们也在和很多新兴企业展开合作。” 拉杰·塔鲁里说。

1γ节点之后可能尝试采用EUV

存储器是一个风高浪疾，竞争激烈的行业，不仅因为市场价格变动急剧，新一代技术的出现与应用也往往会对现有产业格局产生巨大影响。3D XPoint是美光科技重点布局的新一代存储技术，旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储市场空白。

目前，美光科技的3D XPoint开发和商业化进程正在加速。根据拉杰·塔鲁里的介绍，美光科技的3D Xpoint产品将于2019年年底推向市场。3D XPoint的读写速度比NAND更快，成本低于DRAM，且具有非易失性，有望在缓存应用中作为DRAM的有效替代品——使用3D XPoint技术实现缓存，可以以更低的成本达到接近DRAM缓存的性能。根据市场分析机构的预测，到2024年，3D XPoint有可能形成37亿美元的市场规模。

存储行业何时会采用EUV光刻工艺同样是业界关注的重点。今年台积电、三星等公司将在逻辑芯片生产中采用EUV量产7nm产品。但是，存储芯片对于采用EUV并不如逻辑芯片那样迫切。目前，DRAM主流的还在18nm工艺，其中18nm属于1Xnm节点（16nm~19nm之间），后面的1Ynm则是14nm~16nm之间，1Z大概是12nm到14nm。再之后，还有1α及1β工艺。

拉杰·塔鲁里认为，是否采用EUV考量的关键在于芯片生产的成本和效率。“我们现在使用的多重图形曝光技术相比使用EUV在成本和效率上的优势更加明显。现在我们已经推进到1α节点，我们觉得做到1β、1γ节点，现有的多重图形曝光技术在成本上都会更加有优势。但是在1γ之后，我们有可能会尝试采用EUV。我们会进行成本效率分析，如果证明成本效率更优就会考虑采用。当然，前期我们会投入了资金，进行相关工艺的探索和开发。”拉杰·塔鲁里说。