半导体联盟新闻，近日，安徽省经信厅引发《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》（以下简称“方案”）。
根据《方案》，安徽省将聚焦新一代电子信息、智能装备、新材料等重点领域，组织具备较强创新能力的企业揭榜攻关，通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。
目前，安徽省已经以制造业重大发展需求为目标，以突破产业关键技术短板为导向，着眼有基础可产业化、突出产业带动性，在10个重点领域、50个重点方向中确定了104项揭榜任务，其中包括多项集成电路产业的揭榜任务。
以下为部分集成电路产业揭榜任务：
射频氮化镓单晶衬底的主要任务为面向高端射频领域，如军用相控雷达、5G通信基站、卫星通讯等，开展基于自支撑技术的高质量、大尺寸、半绝缘型的氮化镓衬底生长及物性调控的研发与量产。
低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发的主要任务为面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。
15/14nm DRAM存储芯片先进工艺开发及产品研发的主要任务为围绕未来云计算、人工智能等对DRAM存储芯片小尺寸、大容量、高速度的需求，进行15/14nm DRAM存储芯片制造工艺开发，并实现产业化。
DRAM存储芯片专用封装工艺铝重新布线层(Al RDL)工艺开发的主要任务为围绕先进DRAM产品工艺开发需求，开展铝重新布线层工艺开发并实现产业化应用，采用气相沉积氧化硅厚膜作为保护层降低材料应力，攻关溅镀厚铝技术替代电镀铜(镍钯金)技术，通过铝替代铜作为重新布线层，解决先进DRAM产品封装良率低、成本高、周期长等问题。
5nm计算光刻国产化，该任务的研究内容包括：计算光刻EDA软件，提供高度智能化、自动化的EDA仿真软件，含OPC和SMO两大核心技术，同时将版图到掩膜版数据转换的全流程囊括其中，增加工艺探索、建模、图形验证、图形校正、数据准备5大模块，各个模块可以独立操作又能有效串连，对光刻工艺步骤构建适合的软件模型，以纯软件模型取代工程实验，达到降低研发成本的效果。通过内建人工智能算法引擎，从而提高收敛准确性，支持5nm光刻工艺和多重图形化（Multiple-Patterning）技术，实现Patterning图形全流程自动化，最大程度减少对人的依赖，还起到了提高开发效率、减少人力成本、缩短开发时间的作用。
定位下一代EDA的5nm工艺研发DTCO平台，主要内容包括：将光刻工艺研发和器件工艺研发流程整合的工艺研发流程。包括七大模块：1.性能评价模块 2.功耗评价模块 3.面积评估模块 4.制程成本评估模块 5.制程可行性评估模块 6.智能设计规则管理系统 7.DTCO协作请求与控制系统。通过此DTCO平台， 工艺研发人员将从研发早期确定技术路线，对性能功耗面积的持续优化，评估工艺条件的可行性与成本，决定设计规则窗口，引入研发组织协作流程，将庞大的工艺研发信息纳入统一管理，降低工艺研发成本，提高效率。
5G高抑制n77频带带通滤波器的主要内容为实现高抑制Hybrid 5G n77滤波器产品研发并产业化，解决射频前端芯片“卡脖子”难题。
基于5G通讯的LTCC射频器件研发与产业化的主要内容为突破LTCC三维布局、传输零点的引入方法、LTCC滤波器的计算机辅助诊断与调试等关键技术。
国产化智能语音芯片研发的主要任务为：1.完全自研、自定义的DSP和AI加速器的指令和IP的研究设计；2.专用IP设计以及验证：完成AI加速器微架构设计，指令集设计，用RTL实现并验证，主要包括：1）AI加速器微架构设计，它可以较好的平衡各种算力需求和设计复杂度；2）针对人工智能算子，设计出AI加速指令。
存储器芯片生产自动测试设备研发的主要任务包括1.ATE行业最高集成度的核心仪表板；2.行业最高的系统配置能力；3.行业内最高生产并行测试能力。
