11月27日，在集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会”上，紫光存储不仅将展出全系列的闪存产品，还将携手西安紫光国芯带来备受关注的内存产品，全面展示NAND FLASH+DRAM的丰富产品线。
令人瞩目的是，西安紫光国芯研发设计的第四代内存DDR4 DRAM将在此次峰会上与公众见面。
西安紫光国芯将展出从颗粒到模组全系列的内存产品，包含DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM颗粒，SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模组产品，和世界首款商用内嵌自纠错DRAM，即ECC DRAM产品。
图1 西安紫光国芯的DDR4 DRAM颗粒
图2 西安紫光国芯的LPDDR4颗粒
图3 西安紫光国芯的DDR3 ECC DRAM颗粒
图4 西安紫光国芯的SO-DIMM内存模组
图5 西安紫光国芯的U-DIMM内存模组
图6 西安紫光国芯的R-DIMM内存模组
图7 西安紫光国芯的NVDIMM内存模组
西安紫光国芯一直专注于存储器领域，尤其是DRAM存储器的研发和技术积累。该公司在DRAM产品定义、设计、测试、量产和销售上建立了完整成熟的体系，累计二十余款芯片产品和四十余款模组产品，实现了全球的量产和销售。
