10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。于第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，结果具有成本竞争力。
该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内最高速度。 功耗也显着提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。
特别是，第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。
DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示：“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应， 积极应对市场需求。”
另一方面，SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。
