才与台积电进行专利诉讼官司和解，并签订10年交互授权协议的晶圆代工厂商格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器（HBM2E）运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案，以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务，可加速人工智能（AI）应用上市时间。
格芯表示，为了实现资料密集AI训练应用的容量和频宽，系统设计师面临在同时保持合理的功率标准下，将更多的频宽压缩到较小区域的艰钜挑战。因此，格芯的12LP平台和12LP+解决方案，搭配SiFive的定制化高频宽存储器介面，能使高频宽存储器轻松整合到系统单芯片（SoC）解决方案，从而在运算和有线基础设施市场中，为AI应用提供快速、节能的数据处理。
另外，作为合作的一部分，设计人员还能使用SiFive的RISC-V IP产品组合和DesignShare IP生态系统，运用格芯12LP+设计技术协同优化（DTCO），大幅提高芯片的专门化，改善设计效率，在迅速又具成本效益的情况下提供差异化的SoC解决方案。
格芯进一步指出，旗下的12LP+是一款针对AI训练和推理应用的创新解决方案，为设计人员提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取单元，支持处理器与存储器之间快速、节能的数据传输。此外，用于2.5D封装的新中介层有助于将高频宽存储器与处理器整合在一起，以实现快速、节能的数据处理。
目前，格芯正在位于美国纽约州马尔他的8号晶圆厂，进行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解决方案的开发。客户将可在2020年上半年开始进行优化芯片设计，开发针对高性能计算和边缘AI应用的差异化解决方案。
