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芯片
dram
43亿元,兆易创新DRAM芯片项目已完成资金募集
这几天,兆易创新在投资者互动平台上表示,公司DRAM芯片自主研发及产业化项目于2020年5月完成资金募集,现项目研发工作正在进行中。2019年9月,兆易创新发布非公开发行股票预案,拟
2020-07-27
存储器
兆易创新
芯片项目
存储器发展趋势解读 业界:DRAM优于NAND
针对DRAM和储存型快闪存储器(NAND Flash)这两大存储器后市,业界普遍有 DRAM优于NAND Flash 的共识。业者分析,目前看来,DRAM需求拉抬步调较快,价格后市相对看好;NAND Flash则因市场供给
2020-07-08
DRAM
存储器
三星发现新材料 有望用于DRAM和NAND等解决方案
2020年7月6日,三星电子宣布,三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作,发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料,此项研究可能加速
2020-07-07
DRAM
半导体材料
库存回补停滞 DRAM价逐季跌
随着存货水位明显回升,6月标准型及服务器等DRAM合约价与5月持平,但利基型DRAM合约价已反转下跌1~5%。由于第三季市场需求减弱,业界预期下半年DRAM合约价逐季走跌。DRAM厂南亚科公
2020-07-06
DRAM
存储器
SK海力士量产超高速DRAM“HBM2E”
2020年7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM HBM2E 。据悉,这是SK海力士继去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的又一成果。SK海力士新闻稿指出,HBM2E是目前业界速度最快的DRAM解决方
2020-07-02
存储器
DRAM
预计2021年量产 传SK海力士将在1anm DRAM中引入EUV技术
在当前因为市场不确定因素增加,以及新冠肺炎疫情恐将影响存储器后续市场发展的情况下,主要存储器厂商皆不轻易扩增产能,反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。因此
2020-06-01
EUV
存储器
DRAM
三星电子宣布开始量产16GB LPDDR5 DRAM芯片
三星电子宣布,已开始在韩国京畿道平泽市的工厂批量生产业界首款用于下一代高级智能手机的16GB LPDDR5移动DRAM芯片。
2020-02-26
三星电子
DRAM
LPDDR5
TrendForce:2019年第四季量增抵销价跌影响,DRAM产值较前季近持平
TrendForce:2019年第四季量增抵销价跌影响,DRAM产值较前季近持平
2020-02-18
DRAM
市场观察
DRAM跌价与新制程开发,华邦电2019年第4季盈转亏
存储器大厂华邦电7日召开法说,并公布2019年第4季及2019年全年财报。
2020-02-10
DRAM
存储器
华邦电
三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投产
韩国存储器大厂三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高宽带)DRAM。
2020-02-05
存储器
DRAM
存储器价格两样情,NAND涨势更胜DRAM
尽管目前市场担心武汉冠状病毒疫情将影响今年首季行情,但业内人士认为存储器价格涨势仍然可期。
2020-02-04
DRAM
存储器
打造国内最大高端DRAM测试装备研发中心 深圳再添芯动力
深圳航天科创公司与DRAM测试服务企业深圳皇虎、智能制造高新技术企业光彩凯宜在深圳航天大厦举行了共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心项目签约仪式。
2020-01-19
DRAM
存储器
南亚科李培瑛:已成功自主研发10纳米级DRAM新型存储器技术
针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向,李培瑛则是表示,南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术,DRAM产品可持续微缩至少3个世代,未来进入10纳米制程技术
2020-01-13
南亚科技
存储器
DRAM
TrendForce:三星跳电事件激励买方预期性补货,1Q20 DRAM合约价起涨
TrendForce:三星跳电事件激励买方预期性补货,1Q20 DRAM合约价起涨
2020-01-08
市场观察
DRAM
兆易创新公布DRAM量产进程;三星华城厂突发跳电有何影响?
针对2019年12月31日韩国三星电子于华城厂区所发生的跳电事件,整体影响到DRAM、NAND Flash及LSI方面采用EUV技术来生产系统半导体的部分。
2020-01-04
DRAM
兆易创新
三星华城厂区跳电 影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务
根据外电的报导,韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故,影响了DRAM、NAND Flash,以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。
2020-01-02
DRAM
存储器
NANDFlash
DRAM产业景气 拨云见日
美中将签署第一阶段贸易协议,贸易摩擦不确定因素可望淡化,加上三星华城厂跳电,各方指标都有利DRAM景气向上,业者预期,DRAM报价也可望于本季提前上涨。
2020-01-02
DRAM
存储器
兆易创新:首款DRAM芯片最晚2025年量产
此前,兆易创新发布非公开发行A股股票预案,公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股(含本数),募集资金总额(含发行费用)不超过人民币432,402.36万元,用于
2019-12-30
存储器
兆易创新
DRAM
业界共识 DRAM市况提前翻红
由于CMOS影像感测器(CIS)市场需求强劲且供不应求,韩系存储器厂持续将旧有DRAM产能移转生产CIS元件,2020年DRAM位元供给年增率恐创下近10年来新低。
2019-12-25
DRAM
存储器
华为再投资芯片企业;DRAM合约价提前止跌;格兰仕造芯项目落地顺德
华为再投资芯片企业;DRAM合约价提前止跌;格兰仕造芯项目落地顺德
2019-12-21
芯片企业
DRAM
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