就在日前传出台积电正思考在日本独资兴建并营运晶圆厂之后，美商存储器大厂美光（Micron）执行长Sanjay Mehrotra近期接受《日本经济新闻》采访时也表示，美光将与日本政府合作，透过扩大在日本的投资，并且与当地设备和材料公司合作，加强日本的半导体供应链。而针对此一计划，韩媒称将可能影响韩国存储器厂商的发展。

报导指出，Sanjay Mehrotra表示，美光愿意与日本公司合作开发第5代10纳米级的DRAM生产技术。事实上，美光已经于6月初的Computex 2021活动中宣布，已开始量产全球首批第4代10纳米级的DRAM。

目前，韩国的三星和SK海力士两家领先全球的存储器大厂在全球DRAM市场上的排名分别位列第一和第二。但两家公司仍专注第3代10纳米级DRAM生产。因此，在技术领先的情况下，美光已经开始在市场占有率方面逐步威胁韩国存储器厂商。

此外，美光还看上全球NAND Flash快闪存储器全球市场占有率第二的日本铠侠（Kioxia）。根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询资料显示，三星电子当前以33.5%的市占率位居NAND Flash快闪存储器全球市场的龙头，而美光以11.1%的市占率排名第5。若美光成功收购市占率达18.7%的铠侠，美光将进一步威胁三星。

报导还强调，除了存储器厂商美光之外，全球晶圆代工龙头台积电目前也传出将在日本进行一系列的投资计划，以加强与美国和日本之间的合作关系。台积电在2月份宣布将在日本筑波市建立半导体材料的研发工厂后，日前日媒报导也表示，台积电计划在日本建立一座独资的晶圆厂。

相较台积电近期已在美国亚利桑那州开始动工兴建先进制程晶圆厂，并计划在未来3年投资1,000亿美元，用以提高晶圆厂的技术与生产力。韩国三星则计划投资170亿美元扩大美国德州晶圆厂，并将对韩国平泽市P3晶圆厂产线进行新投资。不过三星并未透露新投资的任何细节。